Dos nuevos materiales permiten a Intel el avance más importante en fabricación de chips en los últimos 40 años, lo que facilitará la producción de procesadores más rápidos que consumen menos energía.

Intel anunció este viernes (26/1/2007) el avance más importante en tecnología de semiconductores desde que introdujo la tecnología CMOS a principios de los 60. Al mismo tiempo, reducirá el tamaño de los componentes del chip al pasar de la técnica actual de 65 nanómetros a 45 nanómetros.
 
Al resumir los beneficios de los nuevos materiales –un dieléctrico con alta capacidad para retener carga eléctrica y una compuerta metálica– y del nuevo proceso de fabricación de 45 nm, Intel asegura que la densidad de transistores en el chip se duplicará, mientras que el consumo de energía de los transistores conmutan de un estado a otro se reducirá en un 30%.

La velocidad de conmutación también será mayor (más del 20%) que en los procesadores vigentes, a lo que se suma una reducción de las fugas de corriente en un factor de 5. Debido a lo delgado del componente dieléctrico de las compuertas de los transistores (sólo 5 átomos de espesor en el caso de la tecnología de 65 nanómetros) parte de la corriente que fluye cuando el transistor está encendido se fuga a través del dieléctrico.

Una constante k alta –la letra griega kappa designa la capacidad del dieléctrico de la compuerta– permite mayor capacidad aislante, o menores fugas. De allí el término "high-k" usado por Intel para designar esta tecnología.

Para fines de comparación, cerca de 400 transistores de 45 nm de Intel podrían alojarse en la superficie de un glóbulo rojo humano. Hace tan sólo una década, la tecnología de proceso de vanguardia era de 250 nm, lo que significa que las dimensiones de los transistores eran aproximadamente 5.5 veces mayores en tamaño y 30 veces mayores en área ocupada que los transistores de la tecnología que está anunciando Intel.

Para detalles técnicos vea el artículo High-k en Wikipedia. El link fue señalado por el blog Scobleizer, que tiene este Podcast de 40 minutos con un recorrido por las instalaciones de Intel donde se produjeron los prototipos de 45 nm.

Por su parte, IBM también anunció el viernes que ha logrado un gran avance en el desarrollo de la compuerta "hig-k metal", en trabajo conjunto con AMD, Sony y Toshiba, para producir una nueva generación del chip cell, con 45 nm en 2008.

En la lámina a continuación, Intel ilustra las novedades en los transistores. Las zonas coloreadas indican las porciones metálicas y de dieléctrico introducidas que aseguran una mejora notable del rendimiento y reducción de las fugas